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IBM y Samsung presentan un nuevo transistor vertical para chips de computadora del futuro

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Para llevar los diseños de chips al siguiente nivel, IBM y Samsung están investigando cómo construir transistores semiconductores verticalmente para liberar más espacio en el silicio.

La investigación ha llevado a las empresas a crear VTFET, un nuevo tipo de transistor que puede empaquetarse más densamente en un chip de computadora en comparación con un transistor FinFET.

“En estos nodos avanzados, VTFET podría usarse para proporcionar el doble de rendimiento o hasta un 85% de reducción en el uso de energía en comparación con la alternativa finFET escalada”, dijo IBM en un anuncio el martes.

La idea de construir transistores verticalmente no es nada nuevo. El fin de semana pasado, Intel anunció sus propios esfuerzos de investigación para apilar piezas de transistores una encima de la otra para reducir su huella.

Sin embargo, la investigación de IBM y Samsung ha avanzado hasta el punto de que los transistores VTFET se pueden fabricar en chips de prueba. Los mismos transistores también podrían ayudar a sustentar la Ley de Moore, la observación de que la cantidad de transistores en los nuevos chips de computadora se duplica aproximadamente cada dos años.

FinFET frente a VTFET

(IBM)

VTFET son las siglas en inglés de Transistor de efecto de campo de nanohoja de transporte vertical, y funciona colocando las partes del transistor perpendiculares a la oblea de silicio. Por el contrario, un transistor FinFET colocará ciertas partes lateralmente, lo que puede ocupar más espacio. “Con las tecnologías finFET más avanzadas, hay mucho espacio para espaciadores, puertas y contactos”, agregó IBM.

El VTFET, por otro lado, puede evitar la necesidad de usar «puertas de aislamiento» en los transistores, liberando más espacio. Además, el VTFET dirige la corriente eléctrica verticalmente, lo que puede ayudar a mejorar las velocidades de conmutación del transistor y reducir las necesidades de energía.

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Una oblea VTFET (Transistor de efecto de campo de nanohojas de transporte vertical)

Una oblea VTFET (Transistor de efecto de campo de nanohojas de transporte vertical) (IBM)

“Creemos que el diseño de VTFET representa un gran avance hacia la construcción de transistores de próxima generación que permitirán una tendencia de dispositivos más pequeños, más potentes y energéticamente eficientes en los próximos años”, agregó IBM.

Pero a pesar del bombo publicitario, también hay buenas razones para ser escéptico sobre el anuncio. Crear algunos chips de prueba es una cosa, producirlos a gran escala es otra. IBM tampoco es conocida por la fabricación de semiconductores, aunque Samsung sí lo es.

Las empresas no dijeron cuándo llegará la tecnología VTFET como proceso oficial de fabricación de chips. Entonces, incluso si los transistores entran en producción, pueden pasar años antes de que los veamos alimentando productos reales.

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